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介电常数分析仪器简介:
日本AET微波(高频)介电常数分析仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,深圳日本折原-中国市场合作供应商 此方法保证了介电常数测量结果的精确性。
一、技术参数:
可测试频率范围: 800M~40GHz
介电常数Epsilon:1-15, 准确度: ±1%,
介电损耗tangent delta:0.1-0.001, 准确度:±5%
共有两种同轴共振腔,每个腔可测五个频点:
TyPe A: 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz
TyPe B: 1/3/5/7/9GHz
二、主要特点:
同轴共振腔适用于不同形状样品。
包括薄膜样品的非破坏性测量,使用简易的逐步操作,内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。
三、应用领域:
高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品;
薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)
陶瓷材料;纳米材料;光电材料等
日本AET介电常数测定仪 无损诱电率测定装置
广泛运用:玻璃 、陶瓷、通讯、高铁、航空航天、物联网、消费电子、白色家电、3C数码产品等领域。
服务热线:13590123401
介电常数分析仪器简介:
日本AET微波(高频)介电常数分析仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,深圳日本折原-中国市场合作供应商 此方法保证了介电常数测量结果的精确性。
一、技术参数:
可测试频率范围: 800M~40GHz
介电常数Epsilon:1-15, 准确度: ±1%,
介电损耗tangent delta:0.1-0.001, 准确度:±5%
共有两种同轴共振腔,每个腔可测五个频点:
TyPe A: 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz
TyPe B: 1/3/5/7/9GHz
二、主要特点:
同轴共振腔适用于不同形状样品。
包括薄膜样品的非破坏性测量,使用简易的逐步操作,内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。
三、应用领域:
高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品;
薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)
陶瓷材料;纳米材料;光电材料等
日本AET介电常数测定仪 无损诱电率测定装置
广泛运用:玻璃 、陶瓷、通讯、高铁、航空航天、物联网、消费电子、白色家电、3C数码产品等领域。
介电常数分析仪器简介:
日本AET微波(高频)介电常数分析仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,深圳日本折原-中国市场合作供应商 此方法保证了介电常数测量结果的精确性。
一、技术参数:
可测试频率范围: 800M~40GHz
介电常数Epsilon:1-15, 准确度: ±1%,
介电损耗tangent delta:0.1-0.001, 准确度:±5%
共有两种同轴共振腔,每个腔可测五个频点:
TyPe A: 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz
TyPe B: 1/3/5/7/9GHz
二、主要特点:
同轴共振腔适用于不同形状样品。
包括薄膜样品的非破坏性测量,使用简易的逐步操作,内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。
三、应用领域:
高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品;
薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)
陶瓷材料;纳米材料;光电材料等
日本AET介电常数测定仪 无损诱电率测定装置
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