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  • 日本AET介电常数分析仪 开放式同轴共振腔

日本AET介电常数分析仪 开放式同轴共振腔

介电常数分析仪器简介:

日本AET微波(高频)介电常数分析仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,深圳日本折原-中国市场合作供应商 此方法保证了介电常数测量结果的精确性。

一、技术参数:

可测试频率范围: 800M~40GHz

介电常数Epsilon:1-15,   准确度: ±1%,

介电损耗tangent delta:0.1-0.001,  准确度:±5%
共有两种同轴共振腔,每个腔可测五个频点:
TyPe A:  0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz

TyPe B:    1/3/5/7/9GHz  

二、主要特点:

同轴共振腔适用于不同形状样品。

包括薄膜样品的非破坏性测量,使用简易的逐步操作,内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。

三、应用领域: 

高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品;

薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)

陶瓷材料;纳米材料;光电材料等

 介电常数600-400(50K).jpg

日本AET介电常数测定仪 无损诱电率测定装置

 



广泛运用:玻璃 、陶瓷、通讯、高铁、航空航天、物联网、消费电子、白色家电、3C数码产品等领域。

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介电常数分析仪器简介:

日本AET微波(高频)介电常数分析仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,深圳日本折原-中国市场合作供应商 此方法保证了介电常数测量结果的精确性。

一、技术参数:

可测试频率范围: 800M~40GHz

介电常数Epsilon:1-15,   准确度: ±1%,

介电损耗tangent delta:0.1-0.001,  准确度:±5%
共有两种同轴共振腔,每个腔可测五个频点:
TyPe A:  0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz

TyPe B:    1/3/5/7/9GHz  

二、主要特点:

同轴共振腔适用于不同形状样品。

包括薄膜样品的非破坏性测量,使用简易的逐步操作,内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。

三、应用领域: 

高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品;

薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)

陶瓷材料;纳米材料;光电材料等

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日本AET介电常数测定仪 无损诱电率测定装置

 



广泛运用:玻璃 、陶瓷、通讯、高铁、航空航天、物联网、消费电子、白色家电、3C数码产品等领域。

介电常数分析仪器简介:

日本AET微波(高频)介电常数分析仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术,采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM,测量材料的高频介电常数,深圳日本折原-中国市场合作供应商 此方法保证了介电常数测量结果的精确性。

一、技术参数:

可测试频率范围: 800M~40GHz

介电常数Epsilon:1-15,   准确度: ±1%,

介电损耗tangent delta:0.1-0.001,  准确度:±5%
共有两种同轴共振腔,每个腔可测五个频点:
TyPe A:  0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz

TyPe B:    1/3/5/7/9GHz  

二、主要特点:

同轴共振腔适用于不同形状样品。

包括薄膜样品的非破坏性测量,使用简易的逐步操作,内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。

三、应用领域: 

高速数字/微波电路用基底材料 ;滤波器和介电天线用低损耗电介质 ;化学制品;

薄膜与新材料;半导体材料;电子材料(包括CCL和PCB)

陶瓷材料;纳米材料;光电材料等

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日本AET介电常数测定仪 无损诱电率测定装置

 


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著名厂商技术融合

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多年专业技术积累

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资深工程师多年专业经验
研发团队为客户提供技术、质量可靠的产品

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高效节能

行业应用广泛,高效节能

公司产品应用于
电子电器、玩具、金属、五金塑料等制造行业

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免费检测

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欢迎客户随时提供玻璃片到我司检测,咨询,交流。

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田野技术工程师对设备进行全面监管,提高客户产能,帮助培训客户方技术人员。

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