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13590123401
介电常数分析仪器简介：
日本AET微波(高频)介电常数分析仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术，采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM，测量材料的高频介电常数，深圳日本折原-中国市场合作供应商 此方法保证了介电常数测量结果的精确性。
一、技术参数：
可测试频率范围： 800M～40GHz
介电常数Epsilon：1-15， 准确度： ±1%，
介电损耗tangent delta：0.1-0.001， 准确度：±5%
共有两种同轴共振腔，每个腔可测五个频点:
TyPe A： 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz
TyPe B: 1/3/5/7/9GHz
二、主要特点：
同轴共振腔适用于不同形状样品。
包括薄膜样品的非破坏性测量，使用简易的逐步操作，内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。
三、应用领域：
高速数字/微波电路用基底材料 ；滤波器和介电天线用低损耗电介质 ；化学制品；
薄膜与新材料；半导体材料；电子材料（包括CCL和PCB）
陶瓷材料；纳米材料；光电材料等
日本AET介电常数测定仪 无损诱电率测定装置
广泛运用：玻璃 、陶瓷、通讯、高铁、航空航天、物联网、消费电子、白色家电、3C数码产品等领域。
服务热线：13590123401
介电常数分析仪器简介：
日本AET微波(高频)介电常数分析仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术，采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM，测量材料的高频介电常数，深圳日本折原-中国市场合作供应商 此方法保证了介电常数测量结果的精确性。
一、技术参数：
可测试频率范围： 800M～40GHz
介电常数Epsilon：1-15， 准确度： ±1%，
介电损耗tangent delta：0.1-0.001， 准确度：±5%
共有两种同轴共振腔，每个腔可测五个频点:
TyPe A： 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz
TyPe B: 1/3/5/7/9GHz
二、主要特点：
同轴共振腔适用于不同形状样品。
包括薄膜样品的非破坏性测量，使用简易的逐步操作，内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。
三、应用领域：
高速数字/微波电路用基底材料 ；滤波器和介电天线用低损耗电介质 ；化学制品；
薄膜与新材料；半导体材料；电子材料（包括CCL和PCB）
陶瓷材料；纳米材料；光电材料等
日本AET介电常数测定仪 无损诱电率测定装置
广泛运用：玻璃 、陶瓷、通讯、高铁、航空航天、物联网、消费电子、白色家电、3C数码产品等领域。
介电常数分析仪器简介：
日本AET微波(高频)介电常数分析仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术，采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM，测量材料的高频介电常数，深圳日本折原-中国市场合作供应商 此方法保证了介电常数测量结果的精确性。
一、技术参数：
可测试频率范围： 800M～40GHz
介电常数Epsilon：1-15， 准确度： ±1%，
介电损耗tangent delta：0.1-0.001， 准确度：±5%
共有两种同轴共振腔，每个腔可测五个频点:
TyPe A： 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz
TyPe B: 1/3/5/7/9GHz
二、主要特点：
同轴共振腔适用于不同形状样品。
包括薄膜样品的非破坏性测量，使用简易的逐步操作，内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。
三、应用领域：
高速数字/微波电路用基底材料 ；滤波器和介电天线用低损耗电介质 ；化学制品；
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陶瓷材料；纳米材料；光电材料等
日本AET介电常数测定仪 无损诱电率测定装置
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